聯(lián)系金蒙新材料
- SiC模塊可提升電動汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]
- 碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場強，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流，能減少設(shè)備電阻的損耗。 對電機設(shè)計來說，也更容易在小體積下實現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢，一個是飽和電子速度更高，一個是導熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設(shè)備設(shè)計時，匹配的電流強度更容易遠離設(shè)備的飽和電流，也就能實現(xiàn)在導通狀態(tài)下更低的電阻。
- 碳化硅器件應(yīng)用于逆變器優(yōu)勢[ 05-20 16:41 ]
- 碳化硅導通損耗和開關(guān)損耗優(yōu)勢明顯。就電動汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉(zhuǎn)換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開關(guān)損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優(yōu)勢是比較明顯的，再結(jié)合輕載工況開關(guān)損耗占比更大（碳化硅開關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應(yīng)用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開時雙向?qū)?，又?guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時，F(xiàn)RD的導通壓降比IGBT大的問題，進一步降低導通損耗。 碳化硅可降低整車能耗
- 「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]
- 蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]
- 近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進一步提升車輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進程，為市場帶來配備先進半導體材料的電動車。 據(jù)悉，
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀70年代被廣泛應(yīng)用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀80年代我國將該材料進行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結(jié)，產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復(fù)合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復(fù)合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以
